飞兆四路MOSFET解决方案提高了效率,解决了有源整流桥应用中的散热问题

发布时间:2013-5-2 13:55    发布者:eechina
关键词: MOSFET , N沟道
单个封装中的四个60V MOSFET可提高系统效率,替代二极管整流桥,实现紧凑的设计并节省电路板空间

高分辨率、紧凑有源整流桥应用(如网络摄像机)中的过热可能导致图像质量问题。 同样,热致噪声可能影响系统的图像传感器,也会降低相机的图片质量。 调节热波动的典型散热解决方案会增加元件数量,占用电路板空间,让这些设计变得更复杂。 飞兆半导体的FDMQ86530L 60V四路MOSFET为设计人员提供了一体式封装,有助于克服这些严峻的设计挑战。

FDMQ86530L解决方案由四个60V N沟道组成,采用飞兆GreenBridge™技术,改进了传导损耗和传统二极管整流桥的效率,将功耗降低了10倍。 该器件采用热增强、节省空间的4.5 x 5.0 mm MLP 12引脚封装,免去了散热需要,实现了紧凑设计,提高了12和24V AC应用中的功率转换效率。

FCS651.-FDMQ86530L_Green_Brdg_3x3-(PR).jpg

规格:

•    最大RDS(ON) = 17.5 mΩ(VGS = 10V,ID = 8A)
•    最大RDS(ON) = 23 mΩ(VGS = 6V,ID = 7A)
•    最大RDS(ON) = 25 mΩ(VGS = 4.5V,ID = 6.5A)

封装和报价信息(订购 1,000 个,美元)

按请求提供样品。交货期:收到订单后 8-12 周内

FDMQ86530L产品采用4.5 x 5.0mm MLP 12引脚封装,价格为 1.38美元。

FDMQ86530L产品是飞兆半导体全面的分立式MOSFET产品组合的一部分,再次体现了公司承诺:即提供最具创新的封装技术,以目前最先进的系统实现最小尺寸、最大热性能和最高效率。

取得产品PDF格式的数据页,请访问网页:http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMQ86530L.pdf

查询更多信息,请联络飞兆半导体香港办事处,电话:852-2722-8338;深圳办事处,电话:0755-8246-3088;上海办事处,电话:021-3250-7688;北京办事处,电话:010-6408-8088 或访问公司网站:http://www.fairchildsemi.com/cn/


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