富士通半导体推出新型1 Mbit 和 2 Mbit FRAM产品
发布时间：2013-3-25 15:09
发布者：eechina
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提高了设备的电源效率、小型化，适用于智能电表、工业设备和医疗器械 富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，推出两款新型FRAM产品－MB85RS1MT 和 MB85RS2MT，两款产品分别带有1 Mbit 和 2 Mbit的存储器，是富士通半导体提供的最大容量的串口FRAM。这两款产品将于2013年3月起开始提供新品样片。 
图1：MB85RS1MT和MB85RS2MT 两款新型产品保证有10万亿次的读写次数，大约是现有芯片的10倍，适合用于智能电表、工业机械和医疗设备。与容量相同的EEPROM相比，写入时可减少92%的功耗。另外，由于新款FRAM可以把所有系统存储器器件（主要包括EEPROM、SRAM和用于保持数据的电池）所需的技术集成到单一芯片上，因此可大幅降低器件成本，占板面积和功耗。这相应地极大地有助于开发小型和节能设备，使维修更加简易，因此不再需要备用电池。 FRAM具有两种特性：非易失性，即使关闭电源也能保存数据；随机存取，可以快速写入数据。即使发生突然电源故障和停电时，FRAM也可以安全存储正在写入的数据，所以可以在断电前保证立刻保护芯片信息和存储数据。凭借该能力，自从1999年量产后，富士通半导体的FRAM产品一直广泛应用于工业自动化设备、测量设备、银行终端以及医疗设备等。 作为对其FRAM 产品阵容的更新，富士通半导体最近开发了MB85RS1MT (1 Mbit) 和 MB85RS2MT (2 Mbit)，这两款产品代表了公司迄今为止带有SPI 串口的最高密度的FRAM产品。该系列产品读写次数提高到10万亿次，是富士通现行FRAM产品的10倍，因此可为实时连续数据记录提供更好的支持。 对于包括智能电表和其它测量设备、工业机械以及医疗设备（如助听器）－所有的这些设备都需要带串口的1-2 Mbit 非易失存储器－现在可以使用富士通半导体的新型FRAM产品取代传统的EEPROM。在快速写入方面的改善可以使性能更高，同时可使由于电压突然下降或者停电引起的数据丢失风险降至最低。针对写入时所消耗的电量，新产品比EEPROM少消耗92%的电量，可以延长电池寿命。 展望未来，富士通半导体将继续提供解决方案，帮助客户提高终端产品的性能，促进客户现场设备的维护，并最大程度地降低风险。 
图 2：读写次数比较 
图 3：功耗比较 
图 4：占板面积比较 样片发布日程 产品名称 发布日期 MB85RS1MT 2013年3月底 MB85RS2MT 2013年3月底 关于样片价格，请咨询当地销售代表。 更多产品信息，请见 ：http://www.fujitsu.com/cn/fss/memory/fram/ 客户联系 富士通半导体（上海）有限公司 蔡振宇 市场部 电话：86 21-6146 3688，Eric.Cai@cn.fujitsu.com |
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