高效的高频DC-DC开关应用DirectFET 芯片组(IR)

发布时间:2010-4-14 15:54    发布者:老郭
关键词: DirectFET , 高频 , 开关 , 芯片组 , 应用
国际整流器公司 (IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片组,为 12V 输入同步降压应用 (包括服务器、台式电脑和笔记本电脑) 提供最佳效率。

IRF6706-6798.jpg

IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片组不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技术,还具有业界领先的性能指数 (FOM) 及 DirectFET 封装卓越的开关和热特性,成为一个为高频率 DC-DC 开关应用而优化的解决方案。

IRF6798MPbF 的中罐 DirectFET 封装提供低于1 mΩ 的导通电阻,使整个负载范围可保持极高的效率。新器件配有单片集成式肖特基二极管,能够减少与体二极管传导相关的损耗,并能实现反向恢复损耗,进一步提高解决方案的整体性能。IRF6798MPbF 还提供仅为 0.25 mΩ 的极低栅极电阻,避免了与 Cdv/dt 相关的击穿。

IRF6706S2PbF 小罐 DirectFET 也具备低电荷和低导通电阻,可减少开关损耗及传导损耗,还可为快速开关提供极低的栅极电阻。

  
器件编号

  
BVDSS (V)

  
10V 的典型导通电阻(m)

  
4.5V 下的典型导通电阻 (m)

  
VGS (V)

  
TA   25ºC时的 ID (A)

  
典型QG (nC)

  
典型QGD (nC)

  
外形代码

  
IRF6798MPBF

  
25

  
0.915

  
1.6

  
+/-20

  
37

  
50

  
16

  
MX

  
IRF6706S2PBF

  
25

  
3.2

  
5.3

  
+/-20

  
17

  
12

  
4.2

  
S1

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