惠普持续纳米储存芯片研发 每瓦效能或提升数百倍

发布时间:2012-12-7 14:18    发布者:李宽
关键词: 忆阻器 , 处理器
惠普实验室持续进行以忆阻器(memristor)为基础的长期性智能型存储器研发,旨在取代服务器中央处理器(CPU);研究人员表示,该类元件是在这个数据中心技术与工作量正出现颠覆性变化的时刻,所衍生出的数种芯片新类别之一。

而惠普也预期会在最近几周内公布其“登月计划(Project Moonshot)”──也就是开发ARM核心或Atom核心节能服务器──的后续步骤;该公司目前正与AMD、Applied Micro、Calxeda、Cavium与英特尔等处理器供应商合作推展这个计划。

到目前为止,惠普已经发表了一款采用英特尔Centerton处理器的Atom核心服务器;该公司透露将会使用可抽换式卡栅极(cartridge)让服务器机箱的升级更灵活,以支持2013年以后将推出的一系列ARM与Atom核心芯片。

惠普实验室的研究人员Parthasarathy Ranganathan在一场于美国加州举行的服务器设计高峰会(Server Design Summit)上表示,该实验室将在3~5年的时间内持续进行所谓的“纳米储存(nanostores )”芯片研发;这种芯片结合忆阻器与逻辑电路,可能会在一个以创新系统架构与存储器为基础的新设计时代,挑战微处理器的地位。

“我们有机会打造全新的电路功能结构;”Ranganathan表示:“那实际上是一种3-D协议栈(3-D stacks),能负担得起传统的运算工作量、甚至是增加新的工作量,将以提升每瓦效能(performance per watt)达数百倍的潜力改变整个产业局势。”

Ranganathan指出,新技术将带来的变革以及未来工作负载的转折,会让系统设计变得非常有趣。他指出,在2005年左右,运算领域因为处理器而出现大幅进展的趋势,当时单核心处理器的性能提升趋于稳定,而多核心架构刚刚起飞。

至于在储存领域,硬盘的容量已经超越了资料可读写次数;DRAM容量的成长趋势则是缓慢得多,由以往的一年增加60%左右,变成一年增加仅25%。服务器SoC与结合闪存的3-D协议栈(3-D stacks)架构服务器设计,将有助于克服以上瓶颈。
本文地址:https://www.eechina.com/thread-102645-1-1.html     【打印本页】

本站部分文章为转载或网友发布,目的在于传递和分享信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责;文章版权归原作者及原出处所有,如涉及作品内容、版权和其它问题,我们将根据著作权人的要求,第一时间更正或删除。
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

厂商推荐

相关视频

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表