Vishay出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET
发布时间：2012-12-7 14:12
发布者：eechina
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器件采用7脚D2PAK封装并具有1.1mΩ的低导通电阻和200A的连续漏极电流 Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。该器件特别针对“重型”汽车应用，是Vishay采用兼具低电阻和高电流等级的7脚D2PAK封装的首款功率MOSFET。 通过高密度TrenchFET技术，器件在10V和4.5V下实现了1.1mΩ和1.3mΩ的超低最大导通电阻，将传导损耗最小化，并能在更低的温度下工作。此外，器件的连续漏极电流达200A，帮助工程师设计出更具鲁棒性的产品，为关键的安全应用提供额外的安全余量。 
今天发布的SQM200N04-1m1L适用于电动转向助力等高功率车用电机驱动应用。器件采用了专门设计，在生产过程中进行了100%的测试，可承受100A和500mJ的单个雪崩脉冲。器件具有0.4˚C /W的低热阻(结至外壳)，工作温度范围-55˚C～+175˚C。 SQM200N04-1m1L符合RoHS，通过100%的Rg和UIS测试。器件丰富和扩展了通过AEC-Q101认证的Vishay TrenchFET功率MOSFET系列，更多信息请访问http://www.vishay.com/mosfets/automotive-mosfets/。 新款车用功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十四周到十六周。 |
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