碳化硅MOS晶圆6寸主流,多家厂商在进击8英寸工艺
2024年01月03日 14:32 发布者:Eways-SiC
6 寸碳化硅 mosfet 晶圆,是一种以碳化硅为材料制成的场效应晶体管。295046碳化硅MOS晶圆裸die规格简介。mosfet 晶圆相比,6 寸碳化硅 mosfet 晶圆具有更高的耐压、更大的电流密度和更高的工作频率等优点,因此逐渐成为电力电子领域的研究热点。
6 寸碳化硅 mosfet 晶圆的主要特点如下: 1.高耐压:碳化硅具有较高的击穿电场,因此 6 寸碳化硅 mosfet 晶圆具有较高的耐压能力,适用于高电压应用场景。 2.大电流密度:碳化硅具有较大的电子迁移率,使得 6 寸碳化硅 mosfet 晶圆具有较大的电流密度,能够承受更大的电流。 3. 高工作频率:碳化硅具有较低的载流子迁移率,使得 6 寸碳化硅 mosfet 晶圆具有较高的工作频率,适用于高频率应用场景。4.良好的热稳定性:碳化硅具有较高的热导率,使得 6 寸碳化硅 mosfet 晶圆在高温环境下仍具有较好的性能表现。
碳化硅MOS单管、晶圆芯片,全SiC 模块