存储器大厂积极布局,DDR5与HBM受青睐
2023年11月21日 08:28 发布者:eechina
来源:全球半导体观察今年以来,ChatGPT持续推动生成式AI需求上涨,加上PC与服务器领域平台不断推陈出新,HBM与DDR5等高附加值DRAM芯片备受市场青睐,存储器大厂不约而同积极布局上述产品。
DDR5:美光发布新品、三星计划扩大产线
当前DDR5制程已经来到1β DRAM,今年10月美光科技宣布推出基于1β技术的DDR5内存,速率高达 7200 MT/s,现已面向数据中心及 PC 市场的所有客户出货。此外,该款DDR5内存采用先进的High-K CMOS器件工艺、四相时钟和时钟同步技术,相比上一代产品,性能提升高达50%,每瓦性能提升33%。
近期,美光又带来了采用32Gb芯片的128GB DDR5 RDIMM 内存,该系列内存具有高达 8000 MT/s 的速度,适用于服务器和工作站平台。该款芯片同样采用美光的1β 技术,能源效率提高达24%,延迟降低高达16%。此外,美光计划2024年开始推出速度为4800 MT/s、5600 MT/s 和 6400 MT/s 型号,未来将推出 8000 MT/s 的型号。
另一家存储大厂三星则致力于提升DDR5产能。此前媒体报道三星计划扩产高附加值DRAM,将继续投资先进DRAM芯片的基础设施建设,并扩大研发支出,以巩固其长期市场领导地位。
最新消息报道,业内人士透露,三星内部正在考虑扩大DDR5生产线。鉴于DDR5的高价值及其在PC和服务器市场的采用,今年基本上被视为“DDR5的大规模采用年”。
HBM:扩产潮开启、营收有望显著成长
AI大势之下,HBM热度有增无减,供不应求态势持续。为持续满足供应,存储大厂积极扩产。
近期,媒体报道三星电子等厂商正计划将HBM产量提高至2.5倍。此外,11月初,媒体还报道三星为了扩大HBM产能,已收购三星显示(Samsung Display)韩国天安厂区内部分建筑及设备,用于HBM生产。据悉,三星计划在天安厂建立一条新封装线,用于大规模生产HBM,该公司已花费105亿韩元购买上述建筑和设备等,预计追加投资7000亿-1万亿韩元。
美光方面,11月6日该公司宣布台湾地区台中四厂正式启用。美光表示,台中四厂将整合先进探测与封装测试功能,量产HBM3E及其他产品,从而满足人工智能、数据中心、边缘计算及云端等各类应用日益增长的需求。
全球市场研究机构TrendForce集邦咨询研究显示,HBM是高端AI芯片上搭载的存储器,主要由三大供应商三星、SK海力士与美光供应。随着AI热潮带动AI芯片需求,对HBM需求量在2023年与2024年也随之提升,促使原厂也纷纷加大HBM产能。展望2024年,HBM供给情况有望大幅改善。而以规格而言,伴随AI芯片需要更高的效能,HBM主流也将在2024年移转至HBM3与HBM3e。整体而言,在需求位元提高以及HBM3与HBM3e平均销售价格高于前代产品的情形下,2024年HBM营收可望有显著的成长。