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基于TSS半导体放电管的高速数据传输设备过压防护方案

已有 813 次阅读2017-3-10 14:53 | TSS, 半导体, 放电管

随着计算机外部设备、计算机高速总线的发展,在这些设备上进行的数据交换以及复杂的运算导致数据传输量急剧增大,为了满足种种数据在处理器、存储介质和外围设备之间的高速交换,近年来出现了多种高速接口电路高速数据传输设备。本篇硕凯电子小编就从电路保护的角度详细分析高速数据传输设备电路保护解决方案设计及防护器件选型。

IC制程技术的不断发展、高速数据传输接口的大行其道,使得相关的ESD防护变得日益困难。对更快处理速度和更高功能密度的强烈需求,推动IC制造者进一步缩减MOS元件的最小尺寸,尤其当制造技术转向90nm以下时,IC芯片体积越来越小、密度越来越高、功能越来越复杂,而其使用的电磁环境却日趋严酷,也使其更易遭受ESD、过压及过流的损害。同时,各种高速接口的持续发展,特别是便携式多媒体设备的高速成长,使得数据的高速传输成为必然。而怎样才能在保护接口安全的同时保证数据的高速传输,已然成为高频数据接口面对的难题。

半导体放电管具有精确的导通电压,快速的响应速度(小于1ns)、浪涌吸收能力强、电容值低、双向对称、可靠性高、能实现多路保护。广泛应用在网络通讯及消费类电子产品、高速数据传输设备(T1/E1XDSLISDNHDSLCATVSLIC等)上。以下是作用于高速数据传输设备过压防护的SOCAY硕凯过压防护器件DO-214AA封装TSS半导体放电管P2300SA的具体参数特性。

 SOCAY硕凯TSS半导体放电管

DO-214AA封装PXXX0SA系列

封装:DO-214AA/SMB

电压:6V-400V

抗雷击等级@10/700μs2KV

P2300SA的参数:

封装:DO-214AA

电压:190.0V

电流:150mA

容值:25~35pF

P2300SA的特性:

1、低电压过冲

2、低通态电压

3、多个浪涌极限事件之后不能降低浪涌能力

4、当浪涌超过额定值时会短路故障

5、低电容

P2300SA的产品应用:

1TIA-968-A

2ITU K.20/21 提高水平

3ITU K.20/21 基本水平

4GR 1089 内部建筑

5IEC 61000-4-5

6YD/T 1082

7YD/T 993

8YD/T 950

半导体放电管的选型:

VRM截止电压≥线路中最大工作电压

VS最大箝位电压≤被保护电路中瞬态安全耐压值

TSS半导体放电管结电容小,信号无衰减,不影响高速数据传输设备的信号传输,因此,SOCAY硕凯FAE工程师在为客户推荐作用于高速数据传输设备过压防护器件的时候会优先考虑基于TSS半导体放电管的过压防护方案设计。

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