国产SRAM芯片XM8A51216随机X型存储器
发布时间:2020-4-30 15:48
发布者:英尚微电子
XM8A51216采用异步SRAM接口并结合独有的XRAM免刷新专利技术,在大容量、高性能和高可靠及品质方面完全可以匹敌同类SRAM,具有较低功耗和低成本优势,可以与市面上同类型SRAM产品硬件完全兼容,并且满足各种应用系统对高性能和低成本的要求,XM8A51216也可以当做异步SRAM使用,称为新型国产SRAM芯片也不为过, XM8A51216是基于TLC DRAM(三态 DRAM)和RFDRAM(免刷新DRAM)专利技术而成的新型存储器。与传统的DRAM和SRAM不同, XM8A51216具有以下几个技术特点: 1、数据读取速率快于DRAM产品10倍,延时10ns左右; 2、容量覆盖Megabit到Gigabit; 3、可以节省40%左右的存储阵列功耗; 4、从用户端不需要考虑刷新机制,可以随时访问。 规格书下载 XM8A51216封装图 型号表:
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