博客
国产SRAM星忆存储替代ISSI/CYPRESS产品
|
国产SRAM星忆存储替代ISSI/CYPRESS产品
星忆存储是一家专注研发存储器芯片的高科技企业，2015年成立哈尔滨星忆存储科技有限公司和深圳星忆存储科技有限公司。星忆存储发明了内存三态存储技术和免刷新XRAM存储技术，并向全球电子工业客户提供产品和技术服务。公司研发的产品和拥有的技术具有完全的自主知识产权，且已完成多项国际专利的申请及布局,研发团队在存储芯片和系统解决方案设计层面拥有超过20年的经验。并且与所有同类型SRAM产品软硬件完全兼容国产芯片，满足各种应用系统对高性能和低成本的要求。
星忆XRAM芯片分类
高速同步SRAM （7A系列）
Ø 166Mhz时钟、
Ø 延迟最小10ns。
Ø 36Mb，72Mb，144Mb全地址随机读写。
高速异步接口SRAM （8A系列）
Ø 12ns~15ns延迟
Ø 完全兼容传统SRAM芯片。
Ø 4Mb，8Mb，16Mb，32Mb。
SPI 串口SRAM （9A系列）
Ø 从低速1Khz到高速100Mhz 时钟全频域工作。
Ø 不需要刷新， 兼容传统串口SRAM。
Ø 大容量， 2Mb~8Mb。
RLD DRAM （6A系列）
Ø DDR3 接口 DRAM。
Ø 命令简单，不需要刷新。
Ø 延迟最小10ns， 1200Mbps高速带宽。
欢迎咨询:
