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元器件科普之晶振的主要参数及相关特点

已有 1192 次阅读2018-6-22 17:18

晶振—处于频率信号的器件,现在电子设备中,晶振为其核心器件或者称之为心脏。如果某个晶振无输出,其对应的电路不能工作;射频系统中,晶振不工作,正在射频通道将关闭;不管数字电路应用还是射频电路,都会导致部分系统瘫痪甚至整个系统瘫痪,使得相应设备功能性失效。
因此,晶振是通信系统的核心器件-尤其是军用、飞机、火车、服务器、卫星通信、以及恶劣环境中设备以及与人身安全相关的设备中,晶振更是至关重要。
晶振主要参数:
1,工作电压--如3.3V,5V
2, 输出波形—如clippedsine(削顶正弦波),CMOS(方波),sine(标准正弦波),LVDS/PECL(差分信号)
3, 封装:
DIP14, 14×9mm,5×7mm, 5×3.2mm, 3.2×2.5mm,2.5×2.0m, 2.0×1.6m(技术发展使得封装趋于小型化), OCXO 采用恒温槽技术,体积较大,如20×20×12.7mm(高度12.7mm)
4, 温度稳定度—指的工作温度范围内,晶振输出频率的偏差,温度稳定度曲线
OCXO: 采用恒温槽以力争让晶体处于常温25度状态(25度状态时晶振最稳定的输出),温度稳定度处于ppb(10E-9)级别,如1ppb over -40 to +85, 5ppbover -40 to +85, 50ppb over -40 to +85.
TCXO:使用温补补偿技术,使得在工作温度范围内,让晶振处于相对稳定状态。目前常见的是+/-0.5ppm(1ppm=1000ppb), 目前最好的可以做到+/-0.14ppmover -40 to +85. 较好的+/-0.3ppm over -40 to+85.+/-0.28ppm over -40 to +85.
XO: 温度稳定度一般+/-50ppm over -40 to +85, 目前较好的可以做到+/-10ppmover -40 to +85.
VCXO: 与XO类似,使用VC功能,可以对频率输出进行调整。
5, 相位噪声phase noise—各种噪声的作用下引起的系统输出信号相位的随机变化。比如-160dBc/Hz @1kHz.
OCXO: 一般OCXO具有很好的相位噪声, 比如100MHz 的晶振,相位噪声-155dBc/Hz @1kHz.
TCXO: 相对OCXO要差一些,如10MHz的晶振,相位噪声-140dBc/Hz@1kHz.
XO: 一般以jitter来表示,jitter 是在相应频偏内噪声的积分。Jitter 越小,噪声越低。如<0.1pS
6, G-sensivitity—指的是加速度敏感度,描述晶振在振动的情况下,频率输出和相噪噪声的变化的敏感度。民用晶振处于振动时,可能出现晶振无输出的状态。Low G-sensitivity的晶振,可以在振动状态小有效工作,并能够处于较低的噪声和稳定的输出。-多决定于晶体以及组装技术。
7,shock-冲击承受能力,一般的晶振承受不了太大的冲击。如飞机和DD,对于振动和冲击有较高的要求,这些系统需要在冲击和振动的情况下,晶振能够可靠的工作。
8, 老化率:晶体随着时间的变化,其频率输出会出现偏差,称之为老化,老化的程度成为老化率。越低的老化率代表晶振性能越稳定。
9, 短稳:指的是在短时间内,频率输出的变化,比如1S之内,频率输出的变化,变化越小,越稳定。现在的通信设备中,对短稳的要求越来越高。--Allan variance 阿伦方差就是描述秒稳的。
10,压控功能: 因为晶振的输出会随时间变化出现偏差,在某些系统中这是不能接受的。因此,可以采用Vc 功能对频率输出进行调整。而有的系统则能够容忍,如VCTCXO,TCXO,TCXO就是没有压控的。使用OCXO的系统中,都是对频率稳定要求很高的,因此都带有Vc功能。
11,  振动条件与功率谱密度:功率谱密度是描述振动条件的,不同的应用场合或者要求会对应不同功率谱密度曲线。要求晶振可以在条件下正常工作。以及通过其他指标体现晶振在此条件的工作状态。如稳定度,相位噪声等。抗振动与否-多决定于晶体以及晶振的组装技术
晶振分类:
1,普通XO
压电效应-加电后,晶振有一个稳定的输出频率,一般稳定度+/-20ppm, +/-25ppm, +/-50ppm over -40 to +85, 目前做的较好的是可以做到+/-10ppm over -40 to +85.
主要用于给集成电路提供频率基础。
常用频点: 32.768kHz, 5M,10M, 20M, 25M, 30M,32.768M, 40M, 50M,100M, 125M,156.25M,200M等等。
2,温补晶振TCXO
--采用温度补偿IC,使得晶振输出频率更稳定,一般稳定度+/-0.5ppm over -40 to+85. 目前做的较好的是+/-0.2ppm over -40 to +85.
3, 恒温晶振OCXO
采用恒温槽技术,使得晶振处于常温状态,其晶振的输出更为稳定,一般输出处于ppb级别。
4,压控晶振VCXO
类似于XO, XO老化的问题,出现频率偏差。使用VCXO的系统希望XO的输出长期稳定,所以采用Vc function去调整,使得频率稳定输出。
产品特点:
主要特点如下:
1, TCXO
1.1 高稳定度可以达到 +/-0.2ppm over -40to +85; +/-2ppm over -55 to +105;
相位噪声: 50M的TCXO 相噪可以做到-140dBc/Hz @ 1kHz
Low G-sensitivity,<0.3ppb/G
满足于D载、机载产品对于晶振稳定性的要求。可靠性高。适用于高端应用。
美国公司的宽温的TCXO受控。
封装主要两种: 5×7mm, 5×3.2mm. 大尺寸的如DIP14也可以。
1.2 常规的TCXO,满足一般应用,比如车载、背负、一般机载、对于稳定度和相噪的要求。常规稳定度: +/-0.5ppm over -40 to +85。相位噪声:-135dBc/Hz@1kHz @ 20MHz, --常规产品。依据不同的应用场合,可以推荐不同等级的产品。
常用频点: 10M, 20M,25M,26M,30M,32.768M,40M,50M,80M,100M
主要封装: 5×7mm, 5×3.2mm,3225, 2520
应用市场:如卡车载,渔船,卫星终端,手持机,救援设备,应急通信车,火车地铁等,无线抄表,5G物联网,基站,直放站,无线专网通信,公安政府,特殊物资定位,电台,机载通信,北斗终端,GNSS等等
2, OCXO
2.1 高稳定度可以达到0.1ppb级别,10E-10级别,100M的OCXO相噪噪声可以达到-163dBc/Hz @ 1kHz。
2.2 快速启动,fastwarm-up 如100M OCXO,启动75s内可以到0.1ppm。一般OCXO启动要5分钟,即300s。
2.3 低功耗,稳定工作状态功耗仅有0.23W, 一般OCXO工作状态功耗需要2W左右。
2.4 小封装,有DIP14,15×16mm 的小封装OCXO。 大多OCXO都在20×20mm以上,如25×25mm, 36×27mm等。
2.5 抗冲击振动的OCXO , 如G-sensitivity<1ppb/G, 如100M OCXO振动条件下 相噪可以到达-140dBc/Hz @1kHz
常用频点:10M,32.768M,40M,50M,80M,100M
应用市场:电台,直放站,基站,雷达,D载导引等等。
3,XO
3.1 宽温-55 to+125,稳定度+/-50ppm over -55 to +125, 小封装5*3.2mm,更小的有3225封装。这个主要用于机载板卡,D载,车载等,抗冲击振动,可靠性高。
常用频点;32.768kHz,10M, 20M,25M,30M,50M, 100M, 125M, 156.25M, 200M,212.5M等
3.2 差分信号XO,LVDS/PECL, 主要用于大数据量的计算机或者板卡。如服务器,机载计算机等。特点:ultra-Low jitter(噪声极低),小封装3225mm
3.3 高稳定度的XO,+/-10ppm over -40 to +85
应用场合: 各种电子设备,计算机,服务器,光通信(SONET/SDH,100G/400Goptical,16-32G fibre channel,10/40/100G thernet),电脑,5G,适用于各种电子产品。
4,VCXO 类似于XO
5, Crystal晶体:各种电子设备。
6, VCO,特点超低相噪。小封装。
对于晶振最常规最重要的参数要求: 频点,温度稳定度,相位噪声,输出波形,然后—封装,供电电压,-短稳-等其他要求。
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