博客
.6AN沟通MOS VSR050N06MS.替代TDM3426.DTC3058
|
N沟道，5V逻辑电平控制增强模式,在非常低的电阻VDS=60V.RDS（ON）@ VGS = 10V@30MΩ, RDS（ON）@ VGS = 4.5V@38MΩ,ID=6A,快速切换高转换效率.采用无铅封装SOT89-3. 替代TDM3426.DTC3058
|
N沟道，5V逻辑电平控制增强模式,在非常低的电阻VDS=60V.RDS（ON）@ VGS = 10V@30MΩ, RDS（ON）@ VGS = 4.5V@38MΩ,ID=6A,快速切换高转换效率.采用无铅封装SOT89-3. 替代TDM3426.DTC3058
