为了更好地保护现代电信接口(T1/E1和T3/E3)、百兆/千兆以太网口接口,防止遭受雷击感应浪涌电流和静电放电(ESD)的破坏,浪拓电子推出分散式低电容TVS(瞬态电压抑制)二极管阵列TVS-BV03DW,这二个新系列TVS二极管阵列通过将低电容控向二极管与一个或两个瞬态抑制二极管集成在一起,可以为3.3V应用提供双向电气威胁保护。这些瞬态抑制二极管产品可安全地吸收较高的雷击感应浪涌电流,是T1/E1/T3/E3、10/100/1000以太网等接口的理想选择。
BV03DW系列是特别针对可接受较高负载电容的电信接口(如千兆以太网口)优化设计的,而且可以很轻松地分别处理高达25A的浪涌电流,这使得它们可有效防止以太网口免遭雷电感应瞬态电流的损坏。
BV03DW的性能特色可归结为:
1)与市场上类似的解决方案相比,可为监管标准规定的电气威胁提供更高的保护能力:功率处理能力分别提升2倍;
2)有助于保持T3/E3、千兆以太网数据的信号完整性,并将数据丢失率降至最低;
3)性能远超IEC61000-4-2标准的最高等级(±8kV),可在安装和维护设备时提供更高的可靠性;
4)为敏感的芯片集提供低箝位电压,防止其发生灾难性故障并最大程度地提高系统可靠性。
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