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清华紫光与武汉新芯组最强CP 剑指美光

已有 174 次阅读2016-7-29 14:41 |个人分类:行业资讯| 关键词: 清华紫光, 武汉新芯, DRAM, 晶圆芯片, 集成电路

作为近年来国内半导体行业的“当红炸子鸡”, 赵伟国和他的清华紫光集团又一次成功抢占头条。据《华尔街日报》报道称,清华紫光将收购武汉新芯,借此涉足存储领域。

据悉,清华紫光收购武汉新芯50%的股权,其他股权则由集成电路产业投资基金和武汉政府扶持的另一个基金共同持有。被收购的武汉新芯将改名为长江存储技术有限公司(Yangtze River Storage Technology Co.),总裁由清华紫光集团董事长赵卫国担任。

武汉新芯是2006年由湖北省政府和武汉市政府联合设立,是湖北地区的一个重大战略投资项目载体,初创资金超过15亿美元,主要生产各种类型的NOR闪存。该公司登记法人为湖北省科技投资集团(Hubei Province Technology Investment Corp.),许多高管都曾在中芯国际任职。

武汉新芯:国内存储制造商中的NO.1

武汉新芯承担着国内NAND-Flash的拓荒者的角色,今年三月还宣布投资240亿,用来研究生产NAND FLASHDRAM。通过此次并购,武汉新芯将获得清华紫光强大的财力和完整的产业链,组成中国强大的“NAND FlashCP,迎战强敌三星。

一直以来,NAND FLASH的晶圆芯片都是由三星、东芝/闪迪、美光、SK海力士5家大厂“垄断”,占据整个市场的70%份额;只要他们又任何的产能的调整和市场策略变化,都直接影响到市场特别是中国市场的供需平衡。

随着近年来智能设备的发展,中国闪存市场对NAND FLASH的需求渐增。中国半导体行业协会的报告指出,中国NAND FLASH市场份额已经占全球市场的52.4%,预计到2020年中国市场需求将达到120/月,足以证明中国NAND FLASH市场广阔的发展前景。

此外,中国政府日益重视对半导体元器件国产化的发展,武汉新芯是国内存储制造商中当之无愧的领头羊,在国内NAND Flash制造领域的领先地位无人可撼动。去年年底,武汉新芯和飞索半导体达成合作共识,开发下一代的3D NAND Flash芯片。

DRAM专家—武汉新芯

除了NAND FLASH,武汉新芯另一块主要业务是DRAMDRAM芯片一直是业界的难题,美、日、韩等国家和台湾地区在这一块上面,连续十年投入数百亿美元,但依然未获成功,甚至可以说,DRAM是武汉新芯的“秘密武器”。

DRAM的市场同样巨大,2015年上半年全球的DRAM营收就达到了234.5亿美元,其中移动DRAM的份额增长最快。这得益于智能手机以及搭载高存储密度的设备的发展,随着物联网和云计算的流行,DRAM的密度是越来越高。

清华紫光收购美光 启动DRAM补全计划?

此前曾传出紫光将斥资230亿美元收购美的消息,后因美国政府的限制,使这笔交易暂时压后。美光就不需要给大家介绍,它的DRAMNAND闪存、CMOS图像传感器、其它半导体组件以及存储器模块,是前沿计算、消费品、网络和移动便携产品的关键组件。同时,美光还是在排在韩国三星和SK海力士后面的DRAM巨头。

如果美光和清华紫光达成合作,在紫光强大的资金以及背后广阔的中国终端市场支持下,对于美光来说,是弥补部分工艺制程落后的不足,同时挑战三星10 纳米8 Gb DDR4 DRAM的最佳时机。

拿下美光,清华紫光将得到DRAM、储存型(NAND)快闪记忆体与编码型(NOR)快闪记忆体技术,这将是中国半导体发展史上重要的纪事。

这一切,或在后面的时间里实现!

感谢芯易网xinyiic.com供稿


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