虽然台积电在16nm FinFET工艺量产上略逊于英特尔、三星等巨头，但在10nm的工艺上却处于暂时领先的位置；日前，台积电宣布10nmFinFET工艺已投入量产。

在不久前的股东会议上，台积电高调公布了2016年二季度运营及技术发展情况，并将资本支出提高至105亿美元（比英特尔高出近5亿美元），显示出股东对公司未来的发展非常看好。

会议上，台积电CEO刘德音公布了工艺进展：已经有三个客户使用10nm工艺完成流片。虽然刘德音没有公布这三位电子元器件和IC客户的具体信息，但能用得起10mn工艺芯片的也就是苹果（A10）、联发科（X30）和海思（新一代麒麟处理器）。刘德音还表示，年底前将会收到更多客户的10nm芯片流片订单。

此外，台积电还计划在2020年完成5nm工艺的研发，预计在量产（7nm/5nm工艺）的时候使用EUV光刻工艺。以提高密度、简化工艺并降低成本。EUV是新一代半导体工艺突破的关键，利用远紫外光的EUV曝光技术作为可使电子元器件和IC等半导体进一步微细化，因此备受期待。早期台积电和三星还为了首先使用EUV工艺打过嘴仗。

目前台积电公司已经在7nm节点研发上使用了EUV工艺，实现了EUV扫描机、光罩及印刷的工艺集成。 台积电表示目前他们有4台ASML公司的NX:3400光刻机在运行，2017年第一季度还会再购买2台。

之前有报道称三星也购买了ASML公司的量产型EUV光刻机，目的是在2017年加速7nm工艺量产（芯易网注）。

在7nm工艺方面也进展顺利，台积电宣称已经提前56Mb SRAM芯片。刘德音称台积电的7nm工艺无论在功耗、性能以及PPA密度等方面，都比对手（英特尔、三星）出色，预计2017年上流片、2018年正式量产。