半导体过压保护器是根据可控硅原理采用离子注入技术生产的一种新型保护器件，具有精确导通、快速响应（响应时间ns级）、浪涌吸收能力较强、双向对称、可靠性高等特点。由于其浪涌通流能力较同尺寸的TVS管强，可在无源电路中代替TVS管使用。但它的导通特性接近于短路，不能直接用于有源电路中，在这样的电路中使用时必须加限流元件，使其续流小于最小维持电流。半导体过压保护器有贴装式、直插式和轴向引线式三种封装形式。硕凯电子来给大家介绍半导体放电管选型指南并了解半导体放电管特性参数：

在了解半导体放电管如何选型直选之前首先要先知道它的特性参数：

    半导体固体放电管http://www.socay.com/特性参数：

　　①断态电压 VRM 与漏电流 IRM：断态电压 VRM 表示半导体过压保护器 不导通的最高电压，在这个电压下只有很小的漏电流 IRM。

　　②击穿电压 VBR：通过规定的测试电流 IR（一般为 1mA）时的电压， 这是表示半导体过压保护器开始导通的标志电压。

　　③转折电压 VBO 与转折电流 IBO：当电压升高达到转折电压 VBO时，半导体过压保护器完全导通，呈现很小的阻抗， 两端电压 VT 立即下降到一个很低的数值 （一般为 5V 左右） 。

　　④峰值脉冲电流 IPP：半导体过压保护器能承受的最大脉冲电流。

　　⑤维持电流 IH：半导体过压保护器继续保持导通状态的最小电流。 一旦流过它的电流小于维持电流 IH，它就恢复到截止状态。

　　⑥静态电容 C：半导体过压保护器在静态时的电容值。

半导体放电管选型指南

Vdrw>电路上的工作电压

1、最大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。

2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的最大瞬间峰值电压。

3、半导体放电管处于导通状态(导通)时，所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。

4、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中，最大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，最大DC电压(150V)和最大信号电压(3V)之和为153V，所以应选择VBR大于153V的器件。