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硕凯电子:百兆/千兆以太网口防护方案电路图及设计思路分析

已有 227 次阅读2016-4-15 14:22

以太网口雷击浪涌防护方案的设计思路:

    以太网防护方案的设计需要考虑到雷击浪涌以及陶瓷放电管一级防护之后的残压,因此一般会采用GDT在变压器前端做共模 (八线)浪涌防护;并选择结电容低、反应时间快,兼顾防护静电功能的TVS吸收差模能量。

百兆以太网防护方案(一)

防护电路图: 

 百兆以太网口防护方案 

使用硕凯器件: 

陶瓷气体放电管

GDTUN1206-200ASMD 直流标称电压200±30%V,冲击电流(8/20μs0.5KA,电容值<0.5pF,电阻>100MΩ。 

GDTUN1812-90CSMD 直流标称电压90±20%V,冲击电流(8/20μs2.0KA,电容值<1.0pF,电阻>1GΩ。 

瞬态抑制二极管TVS:

TVSSLUV2.8-4 Vrwm2.8VVb3.0V,防静电能力(接触/空气):8KV/15KV,结电容(f=1MHz):2.0pF,封装:SO-08  

 

百兆以太网防护方案(二)

防护电路图: 

千兆以太网口防护方案 

使用硕凯器件:

陶瓷气体放电管

    GDTUN1206-200ASMD直流标称电压200±30%V,冲击电流(8/20μs0.5KA,电容值<0.5pF,电阻>100MΩ。

    GDTUN1812-90CSMD直流标称电压90±20%V,冲击电流(8/20μs2.0KA,电容值<1.0pF,电阻>1GΩ。

瞬态抑制二极管TVS:

    TVSESD03V32D-LCVrwm3.0VVb4.0V,防静电能力(接触/空气):8KV/15KV,结电容(f=1MHz):1.2pF,封装:SOD-323

千兆以太网防护方案(一)

防护电路图: 

千兆以太网口防护方案  

使用硕凯器件: 

陶瓷气体放电管:

GDT【UN1206-200ASMD】直流标称电压200±30%V,冲击电流(8/20μs)0.5KA,电容值<0.5pF,电阻>100MΩ 

GDTUN1812-90CSMD】直流标称电压90±20%V,冲击电流(8/20μs2.0KA,电容值<1.0pF,电阻>1GΩ。

瞬态抑制二极管:

TVS【SLUV2.5-8】Vrwm:2.V,Vb:3.0V,防静电能力(接触/空气):30KV/30KV,结电容(f=1MHz):3.0pF,封装:SOP-08,超低漏电流 

千兆以太网防护方案(二)

防护电路图: 

千兆以太网口防护方案2 

使用硕凯器件: 

陶瓷气体放电管:

GDT【UN1206-200ASMD】直流标称电压200±30%V,冲击电流(8/20μs)0.5KA,电容值<0.5pF,电阻>100MΩ 

GDTUN1812-90CSMD】直流标称电压90±20%V,冲击电流(8/20μs2.0KA,电容值<1.0pF,电阻>1GΩ。

瞬态抑制二极管

    TVSESD03V32D-LCVrwm3.0VVb4.0V,防静电能力(接触/空气):8KV/15KV,结电容(f=1MHz):1.2pF,封装:SOD-323

硕 凯电子拥有丰富的产品线与卓越的客服能力,通过提供先进技术的最新一代产品来满足设计工程师与采购人员的需求。我们拥有设备先进的EMC实验室,并会有专 业的FAE工程师全程跟进为客户的最新设计项目提供最适合产品防护等级的高规格电路防护方案及电路保护元器件。硕凯电子官网每日更新,socay.com 拥有完整的产品目录、数据手册、行业资讯、应用方案、测试服务等,更有多名在线客服随时为客户答疑解惑。


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