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硕凯DO-15封装TSS半导体固体放电管P2300LB参数与特性

已有 218 次阅读2015-12-22 14:03 | 关键词: p2300lb

半导体放电管是一种过压保护器件,是利用晶闸管原理制成的,依靠PN结 的击穿电流触发器件导通放电,可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围,构成了过压保护的范围。固体放电管使用时可直接跨接在被保护电路两 端。关于半导体的过压保护器件,也就是大家熟称的防雷管,防雷就是把雷的能量释放掉。所谓的防雷,就是防雷到底能不能帮我彻底解决问题,现在国际上把它分 为三级,要根据你的系统对数据,对安全的要求级别来决定你到底用几级。

半导体放电管的击穿(导通)前相当于开路,电阻很大,没有漏电流或漏电流很小;击穿(导通)后相当于短路,可通过很大的电流,压降很小,更适用于调制解调器、传真机、PBX系统、电话、POS系统、模拟和数字卡等的雷击浪涌过压防护。在使用半导体放电管时需要注意的一个问题是:TSS管在过电压作用下击穿后,当流过TSS管的电流值下降到临界值以下后,TSS管才恢复开路状态,因此TSS管在信号线路中使用时,信号线路的常态电流应小于TSS管的临界恢复电流。临界恢复电流值随TSS管的型号和设计应用场合的不同而不同,使用时应注意在器件手册中查明所用具体型号的确切值。以硕凯DO-15封装TSS半导体固体放电管P2300LB为例,以下是其具体参数与特性:

 半导体放电管

图:硕凯DO-15封装TSS半导体固体放电管P2300LB

P2300LB的参数:

封装:DO-15 

电压:190.0V

电流:150mA 

容值:25~35pF 

P2300LB的特性:

1、低电压过冲

2、低通态电压

3、多个浪涌极限事件之后不能降低浪涌能力

4、当浪涌超过额定值时会短路故障

5、低电容 

P2300LB的产品应用:

1TIA-968-A/TIA-968-B

2ITU K.20/21 提高水平

3ITU K.20/21 基本水平

4GR 1089 内部建筑

5IEC 61000-4-5

6YD/T 1082

7YD/T 993

8YD/T 950

半导体放电管的选型:

Vdrw>电路上的工作电压

1、最大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。

2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的最大瞬间峰值电压。

3、半导体放电管处于导通状态(导通)时,所损耗的功率P应小于其额定功率PcmPcm=KVT*IPP,其中K由短路电流的波形决定。对于指数波,方波,正弦波,三角波K值分别为1.001.42.22.8。    

4、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中,最大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V,所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中,最大DC电压(150V)和最大信号电压(3V)之和为153V,所以应选择VBR大于153V的器件。

5、若要使半导体固体放电管通过大的浪涌电流后自复位,器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即:IH(系统电压/源阻抗)


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