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广东半导体放电管有哪些特点?半导体放电管选型标准

已有 224 次阅读2015-6-3 13:55 | 关键词: 放电管

相比陶瓷放电管的市场占比和防雷过压应用,半导体放电管多用于调制解调器、传真机、PBX系统、电话、POS系统、模拟和数字卡等。半导体放电管是一种过压保护器件,是利用晶闸管原理制成的,依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电,可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围,构成了过压保护的范围。很多新手工程师入行的首要任务就是了解各类保护器件的特性参数、特点、应用范围等。究竟广东半导体放电管有哪些特点?半导体放电管选型标准是怎样的呢?且跟着小硕往下看:

广东半导体放电管的特点:

半导体过压保护器是根据可控硅原理采用离子注入技术生产的一种新型保护器件,具有精确导通、快速响应(响应时间ns级)、浪涌吸收能力较强、双向对称、可靠性高等特点。由于其浪涌通流能力较同尺寸的TVS管强,可在无源电路中代替TVS使用。但它的导通特性接近于短路,不能直接用于有源电路中,在这样的电路中使用时必须加限流元件,使其续流小于最小维持电流。

半导体放电管选型标准:

Vdrw>电路上的工作电压

1、最大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCC Part68A类型的IPP应大于100ABellcore 1089IPP应大于25A

2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的最大瞬间峰值电压。

3、半导体放电管处于导通状态(导通)时,所损耗的功率P应小于其额定功率PcmPcm=KVT*IPP,其中K由短路电流的波形决定。对于指数波,方波,正弦波,三角波K值分别为1.001.42.22.8

4、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中,最大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V,所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中,最大DC电压(150V)和最大信号电压(3V)之和为153V,所以应选择VBR大于153V的器件。

5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位,器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即:IH(系统电压/源阻抗)。【更多电子保护器件的产品特点、特性以及选型标准可关注硕凯电子官方微博、微信:socay2004,或者直接访问硕凯电子官网】


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