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硕凯电子:工程师应该了解的放电管类型和放电管的选型方式(二)

已有 290 次阅读2015-3-11 14:03 | 关键词: 放电管

    在上一篇,小硕主要为大家介绍了常见的三种放电管类型,下面就跟小硕一起来看这三种放电管的选型方式。

陶瓷气体放电管选型方式:

    ① 直流击穿电压Vsdc:在放电管上施加100V/s的直流电压时的击穿电压值。这是放电管的标称电压,常用的有90V、150V、230V、350V、470V和600V等几种。其误差范围:一般为±20%,也有的为±15%,还有个别的为±10%或±5%。

    ② 脉冲(冲击)击穿电压Vsi:在放电管上施加1kV/μs的脉冲电压时的击穿电压值。因反应速度较慢,脉冲击穿电压要比直流击穿电压高得多。

    ③ 冲击放电电流Idi:分为8/20μs波(短波)和10/1000μs波(长波)冲击放电电流两种。一般以8/20μs波用得较多。冲击放电电流又分为单次冲击放电电流(8/20μs波冲击1次)和标称冲击放电电流(8/20μs波冲击10次),一般后者约为前者的一半左右,有2.5 kA、5 kA、10 kA、20 kA……等规格。

    ④ 耐交流(工频)电流Idac:放电管能耐受交流(工频)电流放电1秒钟/次、放电10次的电流额定值。

半导体放电管选型方式:

1、最大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCC Part68A类型的IPP应大于100A;Bellcore 1089的IPP应大于25A。

2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的最大瞬间峰值电压。

3、半导体放电管处于导通状态(导通)时,所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm,Pcm=KVT*IPP,其中K由短路电流的波形决定。对于指数波,方波,正弦波,三角波K值分别为1.00,1.4,2.2,2.8。

4、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中,最大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V,所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中,最大DC电压(150V)和最大信号电压(3V)之和为153V,所以应选择VBR大于153V的器件。

5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位,器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即:IH(系统电压/源阻抗)。

玻璃放电管选型方式:

     ①玻璃放电管既可以用作电源电路的保护,也可以用作信号电路的保护;既可以用作共模保护,也可以用作差模保护。但只能用在浪涌电流不大于3kA 的地方。   

②直流击穿电压VS的选择:直流击穿电压VS的最小值应大于可能出现的最高电源峰值电压或最高信号电压的1.2倍以上。   

③在有可能出现续流的地方(如电源电路)使用时,必须串联限流电阻或 自恢复保险丝,防止玻璃放电管击穿后长时间导通而损坏。【更多放电管的相关信息请关注硕凯电子的微博、微信:socay2004,或者直接访问硕凯电子官网】


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