电子工程网资料下载列表

三相四线三级滤波器

三相四线三级滤波器
产品简介(此系列产品均可提供端子台接线方式) 额定电流5A-1200A可选 可选医疗设备专用型(B系列) 焊片、螺栓、端子台引出方式可选(3 ...
2024年03月18日 13:17

80V 72V 60V 48V 降12V 5V 3.3V 功耗低降压恒压芯片H6603

80V 72V 60V 48V 降12V 5V 3.3V 功耗低降压恒压芯片H6603
输入电压80V、72V、60V、48V:这些是电源系统中的不同电压水平,通常用于驱动各种设备。例如,电动汽车、电动自行车或工业设备中的电池系统 ...
2024年01月12日 19:05

STS4DNF60L-VB一款2个N沟道SOP8封装MOSFET应用分析

STS4DNF60L-VB一款2个N沟道SOP8封装MOSFET应用分析
STS4DNF60L (VBA3638)参数说明:2个N沟道,60V,6A,导通电阻27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V),阈值电压1.5V,封装:SOP8。 应用简介 ...
2024年01月10日 16:10   |  
STS4DNF60L   VBsemi   mosfet  

STP30NF20-VB一款N沟道TO220封装MOSFET应用分析

STP30NF20-VB一款N沟道TO220封装MOSFET应用分析
STP30NF20 (VBM1208N)参数说明:N沟道,200V,35A,导通电阻58mΩ@10V,20Vgs(±V),阈值电压3V,封装:TO220。 应用简介:STP30NF20适 ...
2024年01月10日 16:07   |  
STP30NF20   VBsemi  

ST2341S23RG-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析

ST2341S23RG-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析
ST2341S23RG (VB2355)参数说明:P沟道,-30V,-5.6A,导通电阻47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1V,封装:SOT23。 ...
2024年01月10日 16:04   |  
ST2341S23RG   VBsemi   MOSFET  

SPD30P06PG-VB一款P沟道TO252封装MOSFET应用分析

SPD30P06PG-VB一款P沟道TO252封装MOSFET应用分析
SPD30P06PG (VBE2658)参数说明:P沟道,-60V,-22A,导通电阻48mΩ@10V,57mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1.5V,封装:TO252。 ...
2024年01月10日 15:54   |  
SPD30P06PG   VBsemi   mosfet  

SI9945AEY-T1-E3-VB一款2个N沟道SOP8封装MOSFET应用分析

SI9945AEY-T1-E3-VB一款2个N沟道SOP8封装MOSFET应用分析
SI9945AEY-T1-E3 (VBA3638)参数说明:极性:2个N沟道;额定电压:60V;最大电流:6A;导通电阻:27mΩ @ 10V, 32mΩ @ 4.5V;门源电压范围: ...
2024年01月10日 15:45   |  
SI9945AEY-T1-E3   VBsemi   mosfet  

SI4559EY-T1-E3-VB一款N+P沟道SOP8封装MOSFET应用分析

SI4559EY-T1-E3-VB一款N+P沟道SOP8封装MOSFET应用分析
SI4559EY-T1-E3 (VBA5638)参数说明:N+P沟道,±60V,正向电流6.5A,反向电流5A,导通电阻28mΩ@10V,34mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V), ...
2024年01月10日 15:43   |  
SI4559EY-T1-E3   VBsemi   mosfet  

SI4435DY-T1-E3-VB一款P沟道SOP8封装MOSFET应用分析

SI4435DY-T1-E3-VB一款P沟道SOP8封装MOSFET应用分析
SI4435DY-T1-E3 (VBA2317)参数说明:极性:P沟道;额定电压:-30V;最大电流:-7A;导通电阻:23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V;门 ...
2024年01月10日 15:37   |  
SI4435DY-T1-E3   VBsemi   mosfet  

SI3442CDV-VB一款N沟道SOT23-6封装MOSFET应用分析

SI3442CDV-VB一款N沟道SOT23-6封装MOSFET应用分析
SI3442CDV (VB7322)参数说明:N沟道,30V,6A,导通电阻30mΩ@10V,40mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压1.2V,封装:SOT23-6。 ...
2024年01月10日 15:33   |  
SI3442CDV  

Si2399DS-T1-GE3-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析

Si2399DS-T1-GE3-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析
Si2399DS-T1-GE3 参数: P沟道, -20V, -4A, RDS(ON), 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V); -0.81Vth(V); SOT23 应用简介: Si2399DS-T1 ...
2024年01月10日 15:20   |  
Si2399DS-T1-GE3  

Si2399DS-T1-GE3-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析

Si2399DS-T1-GE3-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析
Si2399DS-T1-GE3 参数: P沟道, -20V, -4A, RDS(ON), 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V); -0.81Vth(V); SOT23 应用简介: Si2399DS-T1 ...
2024年01月10日 15:17   |  
Si2399DS-T1-GE3  

Si2342DS-T1-GE3-VB一款N沟道SOT23封装MOSFET应用分析

Si2342DS-T1-GE3-VB一款N沟道SOT23封装MOSFET应用分析
Si2342DS-T1-GE3 (VB1240)参数说明:N沟道,20V,6A,导通电阻24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,门源电压范围8V(±V),可调阈值电压范围0.45~1V,封 ...
2024年01月10日 15:05   |  
Si2342DS-T1-GE3  

ZCC5700 带 I2C 接口的宽输入同步升降压控制器

1. 特点 宽输入电压范围:3.9V to 34V 可调节的输出电压范围:0.59V to 34V 峰值电流控制模式 集成 6V/3A 的 Mosfet 驱动 可通过 ILIM 脚设 ...
2023年11月27日 13:50   |  
  I2C  

LDO的设计注意事项

谢谢关注
2023年10月22日 08:45

下载排行榜

厂商推荐

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
返回顶部